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新华社北京7月9日电 《经济参考报》7月9日刊发文章《2026年中产业观察丨AI驱动超级周期 国产存储双雄享受涨价红利》。文章称，今年上半年，全球存储行业迎来AI算力需求驱动的超级景气周期。长鑫科技从年亏百亿元到日赚3亿元、长江存储以1600亿元估值冲刺IPO……国内存储领域两大龙头依托本轮行情实现业绩与市值攀升，以存储双雄为核心的产业集群也在加速成型，清晰勾勒出国产存储产业崛起的轮廓。<br>
供需缺口扩大 涨价仍将持续<br>
根据集邦咨询现货与合约价跟踪报告，2026年上半年全球存储芯片行业处于十五年一遇的超级景气周期，DRAM（动态随机存取内存）、NAND闪存合约价格连续两个季度大幅上涨，并完整传导至消费端。监测数据显示，上半年16GB DDR5内存、1TB固态硬盘终端价格较2025年同期涨幅均超130%，供需失衡局面贯穿上半年。<br>
本轮涨价并非简单的周期性反弹，而是AI算力需求主导下的结构性变革。全球大模型训练、推理需求持续攀升，AI服务器单机内存搭载量为传统数据中心服务器的10倍以上，机构预测2026年AI相关DRAM需求占比将突破53%。在供给端，三星、SK海力士、美光等海外巨头将先进产能优先投向高附加值AI存储产品，压缩通用存储产能投放。高盛、集邦咨询等机构一致判断，当前存储供需紧张格局至少延续至2027年下半年。<br>
从更宏观的视角看，存储芯片正从传统电子元器件转变为算力基础设施核心稀缺资源，行业周期性波动逻辑被AI长期需求重构。这意味着，本轮景气周期不再是过往消费电子驱动的短期脉冲，而是进入结构性紧平衡阶段。对于国产存储厂商而言，这既是难得的历史窗口期，也是检验其产能爬坡、技术迭代与供应链管理能力的关键时刻。<br>
业绩拐点显现 资本化进程提速<br>
在行业超级周期的催化下，国产存储双雄迎来业绩爆发与资本化进程的双重拐点。<br>
作为国内唯一实现规模化量产的DRAM垂直整合制造企业，长鑫科技2026年上半年业绩实现跨越式反转，彻底扭转此前连续亏损态势。根据公司更新后的科创板IPO招股书业绩预告，今年1至6月公司预计实现营业收入1100亿元至1200亿元，归母净利润区间500亿元至570亿元，盈利同比增幅最高达2544.19%。以上半年业绩中位数测算，企业日均盈利接近3亿元，创下国内晶圆制造企业半年度盈利新高。<br>
长鑫科技产能与产品结构同步优化，DDR5、LPDDR5X高端存储产品出货占比持续抬升，叠加国产服务器、AI终端替代订单集中落地，共同支撑营收与利润同步放量。从全球竞争格局看，今年一季度长鑫DRAM全球市场份额达7.7%至8%，稳居中国大陆第一、全球第四大DRAM原厂，打破海外巨头长期垄断格局。<br>
在DRAM赛道实现突破的同时，国内3D NAND闪存龙头长江存储也在加速资本化进程。5月19日，证监会公示信息显示，长江存储控股股份有限公司已在湖北证监局完成IPO辅导备案，辅导券商为中信证券、中信建投。公开资料显示，长江存储2016年在武汉成立，是国内唯一具备3D NAND闪存自主研发、全流程量产能力的IDM企业，业务覆盖芯片设计、制造、封测及系统解决方案。2025年，其全资子公司长江存储科技有限责任公司以1600亿元估值入选《胡润全球独角兽榜》，位列全球第21位、中国十大独角兽，成为国内半导体领域估值最高的头部科创企业。<br>
值得注意的是，国产存储双雄的跨越式发展，是行业周期红利与国产化逻辑共振的必然结果。国内云厂商、AI算力企业加速导入本土供应链，国产存储产能优先保障区域订单，出货规模持续攀升。<br>
业界认为，双雄相继资本化，标志着国产存储产业彻底告别长期烧钱研发阶段，迈入良性循环的自我造血周期。行业景气高位登陆资本市场，将助力企业以更高估值募资扩产，为技术攻关与产能爬坡筑牢资本基础。<br>
龙头牵引集群 产业生态跃迁<br>
国产存储双雄的突围，并非孤立的企业个案，而是中国半导体产业从单点技术突破向全域生态构建跃迁的缩影。依托两大龙头牵引，合肥、武汉两大产业集群错位布局、协同发力，共同打造具备全球竞争力的存储产业高地。<br>
扎根合肥的长鑫科技，依托长三角完善的半导体产业配套，走出了一条稳健的DRAM突围路径。企业以17nm成熟工艺为根基，采取“先稳后进、以量提质”的发展策略，在通用存储市场夯实基本盘后，稳步向DDR5、LPDDR5X高端产品迭代升级。叠加本土算力终端订单加持，产能消化确定性增强，在本轮行业上行周期中充分释放盈利潜力。<br>
位于武汉光谷的长江存储，以链主身份带动区域存算产业集群协同发展。据湖北省经信厅介绍，当地聚焦存算一体芯片、下一代闪存、先进封装等核心赛道，强化高端芯片研发创新，遵循“巩固新优势、开辟新领域、布局新赛道”思路优化产业布局，全力建设世界级存算一体化产业基地。<br>
龙头牵引之下，国内光电子与存储相关领域创新成果密集涌现：国家信息光电子创新中心研制250GHz带宽光子集成芯片，芯动科技推出全球首款120通道PCIe Gen5交换芯片，光谷实验室联合华中科技大学研发360TB超大容量玻璃硬盘……一系列“全球首创”成果落地，印证我国信息产业正从跟跑为主，加速向并跑、领跑阶段跨越。<br>
同济大学国家创新发展研究院研究员宫超表示，本轮存储超级周期由AI算力刚性需求、供应链自主可控两大核心因素共振驱动，为国产存储原厂及配套产业链带来历史性成长窗口。相关支撑要素具备长期性，行业高景气周期有望持续。在此背景下，国产存储企业将加快资本积累与技术迭代，本土产业链协同效率持续提升，上游材料、设备等配套环节国产化进程进一步提速。<br>
业内专家同时提示，国产存储产业仍面临多重现实挑战。技术层面，HBM等高端存储市场仍由海外三家巨头垄断，国内在先进工艺、高端架构上存在技术壁垒；市场层面，不排除海外巨头后续通过集中扩产、发动价格战挤压本土企业生存空间；产业层面，全链条一体化运营能力仍有短板，头部企业产业链统筹调度效能有待提升；人才层面，HBM、高速固件等高端领域核心研发人才集中于海外，国内人才供给缺口制约高端产品产业化落地。<br>
业内人士表示，把握本轮AI存储超级周期机遇，持续补齐技术、人才、产业链短板，深化集群协同创新，将是国产存储产业巩固崛起态势、跻身全球第一梯队的关键。